货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥11.629063 | ¥11.63 |
10 | ¥10.387124 | ¥103.87 |
100 | ¥8.09857 | ¥809.86 |
500 | ¥6.68976 | ¥3344.88 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 600 mA
漏源电阻 3 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 2 ns
正向跨导(Min) 225 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5 ns
典型接通延迟时间 2 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVNL110GTA
型号:ZVNL110GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.629063 |
10+: | ¥10.387124 |
100+: | ¥8.09857 |
500+: | ¥6.68976 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.63