货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥61.212532 | ¥61.21 |
10 | ¥55.286292 | ¥552.86 |
100 | ¥45.773557 | ¥4577.36 |
500 | ¥39.859167 | ¥19929.58 |
1000 | ¥34.716031 | ¥34716.03 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 31 A
漏源电阻 90 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 80 nC
耗散功率 255 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 10 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPB60R099CPA SP000315443
单位重量 4 g
购物车
0IPB60R099CPAATMA1
型号:IPB60R099CPAATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥61.212532 |
10+: | ¥55.286292 |
100+: | ¥45.773557 |
500+: | ¥39.859167 |
1000+: | ¥34.716031 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥61.21