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起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥0.871912 | ¥2615.74 |
6000 | ¥0.819088 | ¥4914.53 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 500 mA, 360 mA
漏源电阻 1.7 Ohms, 4 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 300 pC, 280 pC
耗散功率 450 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9.9 ns, 11.6 ns
正向跨导(Min) 80 mS, 50 mS
上升时间 3.4 ns, 7.9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15.7 ns, 10.6 ns
典型接通延迟时间 3.9 ns, 5.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMG1029SV-7
型号:DMG1029SV-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥0.871912 |
6000+: | ¥0.819088 |
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