
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥5381.286479 | ¥5381.29 |
| 10 | ¥4635.343676 | ¥46353.44 |
| 25 | ¥4449.180745 | ¥111229.52 |
制造商 NXP
商标 NXP Semiconductors
晶体管极性 N-Channel
技术 Si
漏源击穿电压 130 V
工作频率 1.8 MHz to 600 MHz
输出功率 600 W
配置 Dual
耗散功率 1.667 kW
栅极电压 10 V
栅源极阈值电压 2.2 V
增益 25 dB
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
安装风格 SMD/SMT
产品类型 RF MOSFET Transistors
类型 RF Power MOSFET
零件号别名 935310538128
单位重量 13.155 g
购物车
0MRFE6VP5600HR6
型号:MRFE6VP5600HR6
品牌:NXP
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥5381.286479 |
| 10+: | ¥4635.343676 |
| 25+: | ¥4449.180745 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥5381.29