STWA70N65DM6
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- 制造商编号：
- STWA70N65DM6
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- N-CHANNEL 650 V, 0.035 OHM TYP.,
- 渠道：
- digikey
库存 ：91
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥144.071236 | ￥144.07 |
| 10 | ￥130.170709 | ￥1301.71 |
| 25 | ￥124.118729 | ￥3102.97 |
| 100 | ￥102.925678 | ￥10292.57 |
| 250 | ￥96.871225 | ￥24217.81 |
| 500 | ￥90.816774 | ￥45408.39 |
| 1000 | ￥81.735097 | ￥81735.10 |
| 2500 | ￥78.70787 | ￥196769.67 |
| 5000 | ￥74.469755 | ￥372348.78 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STWA70N65DM6
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
N-CHANNEL 650 V, 0.035 OHM TYP.,
包装
-
系列
MDmesh™ DM6
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
68A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
40mOhm @ 34A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
125nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
4900pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
450W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
TO-247 Long Leads
封装/外壳
TO-247-3
STWA70N65DM6 同类别型号
注
STWA70N65DM6品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、STWA70N65DM6
数据手册PDF。
STWA70N65DM6
型号：STWA70N65DM6
品牌：ST
供货：锐单
库存：91 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥144.071236 |
| 10+： | ￥130.170709 |
| 25+： | ￥124.118729 |
| 100+： | ￥102.925678 |
| 250+： | ￥96.871225 |
| 500+： | ￥90.816774 |
| 1000+： | ￥81.735097 |
| 2500+： | ￥78.70787 |
| 5000+： | ￥74.469755 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥144.07