
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥2.339732 | ¥5849.33 |
| 5000 | ¥2.222745 | ¥11113.73 |
| 12500 | ¥2.139183 | ¥26739.79 |
| 25000 | ¥2.089046 | ¥52226.15 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 80 V
漏极电流 65 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 2.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.5 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 3.8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16.5 ns
典型接通延迟时间 4.9 ns
高度 1 mm
长度 5.8 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 96 mg
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0DMT8012LPS-13
型号:DMT8012LPS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥2.339732 |
| 5000+: | ¥2.222745 |
| 12500+: | ¥2.139183 |
| 25000+: | ¥2.089046 |
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