CSD87502Q2T
库存 ：13000
货期：（7~10天）
起订量：250
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 250 | ￥9.632635 | ￥2408.16 |
| 500 | ￥8.512666 | ￥4256.33 |
| 1250 | ￥6.720565 | ￥8400.71 |
| 2500 | ￥6.272478 | ￥15681.20 |
| 6250 | ￥5.958841 | ￥37242.76 |
| 12500 | ￥5.734921 | ￥71686.51 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导（Min） 75 S, 75 S
上升时间 11 ns, 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
外形参数
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
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注
CSD87502Q2T品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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、CSD87502Q2T
数据手册PDF
。
CSD87502Q2T
型号：CSD87502Q2T
品牌：TI
供货：锐单
库存：13000 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 250+： | ￥9.632635 |
| 500+： | ￥8.512666 |
| 1250+： | ￥6.720565 |
| 2500+： | ￥6.272478 |
| 6250+： | ￥5.958841 |
| 12500+： | ￥5.734921 |
货期：7-10天
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