NSB1706DMW5T1G
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥4.393884 | ￥4.39 |
| 10 | ￥3.611224 | ￥36.11 |
| 100 | ￥1.916832 | ￥191.68 |
| 500 | ￥1.260771 | ￥630.39 |
| 1000 | ￥0.857358 | ￥857.36 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual Common Emitter
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 4.7 kOhms
典型电阻器比率 0.1
直流集电极 80, 200
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 187 mW
直流电流增益（Max） 80
外形参数
高度 1 mm
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 12 mg
NSB1706DMW5T1G 同类别型号
注
NSB1706DMW5T1G
型号：NSB1706DMW5T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥4.393884 |
| 10+： | ￥3.611224 |
| 100+： | ￥1.916832 |
| 500+： | ￥1.260771 |
| 1000+： | ￥0.857358 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥4.39