NTZD3155CT1G
库存 ：61634
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.966287 | ￥5.97 |
| 10 | ￥4.038718 | ￥40.39 |
| 100 | ￥2.724605 | ￥272.46 |
| 500 | ￥2.11482 | ￥1057.41 |
| 1000 | ￥1.911966 | ￥1911.97 |
| 2000 | ￥1.738638 | ￥3477.28 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 540 mA
漏源电阻 550 mOhms, 900 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 450 mV, 1 V
栅极电荷 2.5 nC
耗散功率 250 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 12 ns
上升时间 4 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns, 35 ns
典型接通延迟时间 6 ns, 10 ns
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 3 mg
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注
NTZD3155CT1G
型号：NTZD3155CT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：61634 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.966287 |
| 10+： | ￥4.038718 |
| 100+： | ￥2.724605 |
| 500+： | ￥2.11482 |
| 1000+： | ￥1.911966 |
| 2000+： | ￥1.738638 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.97