货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥14.828255 | ¥14.83 |
10 | ¥13.220822 | ¥132.21 |
25 | ¥12.545453 | ¥313.64 |
100 | ¥10.305014 | ¥1030.50 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 35 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 6 nC
耗散功率 2.3 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 3 ns
正向跨导(Min) 75 S, 75 S
上升时间 11 ns, 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns, 12 ns
典型接通延迟时间 3 ns, 3 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 5 mg
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0CSD87502Q2T
型号:CSD87502Q2T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.828255 |
10+: | ¥13.220822 |
25+: | ¥12.545453 |
100+: | ¥10.305014 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.83