NTJD1155LT1G
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥0.942506 | ￥2827.52 |
| 6000 | ￥0.894569 | ￥5367.41 |
| 9000 | ￥0.830654 | ￥7475.89 |
| 30000 | ￥0.811492 | ￥24344.76 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 8 V
漏极电流 1.3 A
漏源电阻 175 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 400 mV
栅极电荷 -
耗散功率 400 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 P-Channel
外形参数
高度 0.9 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
单位重量 31 mg
NTJD1155LT1G 同类别型号
注
NTJD1155LT1G
型号：NTJD1155LT1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥0.942506 |
| 6000+： | ￥0.894569 |
| 9000+： | ￥0.830654 |
| 30000+： | ￥0.811492 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00