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起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥1.14248 | ¥1.14 |
| 10 | ¥0.879381 | ¥8.79 |
| 30 | ¥0.831068 | ¥24.93 |
| 100 | ¥0.782755 | ¥78.28 |
| 500 | ¥0.76129 | ¥380.65 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 37.8 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 2.29 mm
长度 6.1 mm
宽度 6.58 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMN3016LK3-13
型号:DMN3016LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥1.14248 |
| 10+: | ¥0.879381 |
| 30+: | ¥0.831068 |
| 100+: | ¥0.782755 |
| 500+: | ¥0.76129 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.14