搜索

NTJD1155LT1G

ON(安森美)
图像仅供参考
请参阅产品规格
制造商编号：
NTJD1155LT1G
制造商：
ON(安森美)
产品类别：
射频晶体管
商品描述：
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
渠道：
digikey

库存 ：94342

货期：（7~10天）

起订量：1

整装： ￥10

定价（含税）

数量 价格 总计
1 ￥6.714963 ￥6.71
10 ￥5.786298 ￥57.86
100 ￥4.026121 ￥402.61
500 ￥3.143174 ￥1571.59
1000 ￥2.554829 ￥2554.83

规格参数

关键信息

制造商 onsemi

商标 onsemi

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 P-Channel

通道数量 2 Channel

漏源击穿电压 8 V

漏极电流 1.3 A

漏源电阻 175 mOhms

栅极电压 - 8 V, + 8 V

栅源极阈值电压 400 mV

栅极电荷 -

耗散功率 400 mW

通道模式 Enhancement

配置 Dual

晶体管类型 2 P-Channel

外形参数

高度 0.9 mm

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

类型 MOSFET

单位重量 31 mg

NTJD1155LT1G 相关产品

NTJD1155LT1G 同类别型号

CQ220-10D N4165EE450 APTGF50VDA120T3G IRLH5030TR2PBF CQ220-10M N4845EE360 APTGF50VDA60T3G CQ220-10N IRLH5030TR2PBF R1127NC32P APTGF90H60T3G CQ220-12B

注

NTJD1155LT1G品牌厂家：ON ，所属分类： 射频晶体管 ，可在锐单商城现货采购NTJD1155LT1G、查询NTJD1155LT1G代理商； NTJD1155LT1G价格批发咨询客服；这里拥有 NTJD1155LT1G中文资料 、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到NTJD1155LT1G 替代型号 、NTJD1155LT1G 数据手册PDF。

客服

购物车

NTJD1155LT1G

锐单logo

型号：NTJD1155LT1G

品牌：ON

供货：锐单

库存：94342 MPQ：4000 MOQ：1

单价：

1+： ￥6.714963
10+： ￥5.786298
100+： ￥4.026121
500+： ￥3.143174
1000+： ￥2.554829

货期：7-10天

+ -

单价：￥0.00总价：￥6.71