货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.414465 | ¥2.41 |
10 | ¥1.858444 | ¥18.58 |
30 | ¥1.756342 | ¥52.69 |
100 | ¥1.654238 | ¥165.42 |
500 | ¥1.608875 | ¥804.44 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 37.8 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 2.29 mm
长度 6.1 mm
宽度 6.58 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMN3016LK3-13
型号:DMN3016LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.414465 |
10+: | ¥1.858444 |
30+: | ¥1.756342 |
100+: | ¥1.654238 |
500+: | ¥1.608875 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.41