
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥2.768367 | ¥2.77 |
| 10 | ¥2.130846 | ¥21.31 |
| 30 | ¥2.013777 | ¥60.41 |
| 100 | ¥1.896709 | ¥189.67 |
| 500 | ¥1.844697 | ¥922.35 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 Enhancement Mode MOSFET
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 37.8 A
漏源电阻 16 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.3 V
栅极电荷 25.1 nC
耗散功率 2.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.6 ns
正向跨导(Min) -
上升时间 16.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 26.1 ns
典型接通延迟时间 4.8 ns
高度 2.29 mm
长度 6.1 mm
宽度 6.58 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Enhancement Mode MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMN3016LK3-13
型号:DMN3016LK3-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥2.768367 |
| 10+: | ¥2.130846 |
| 30+: | ¥2.013777 |
| 100+: | ¥1.896709 |
| 500+: | ¥1.844697 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥2.77