
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥77.651985 | ¥77.65 |
| 10 | ¥71.368737 | ¥713.69 |
| 100 | ¥60.2738 | ¥6027.38 |
| 500 | ¥53.617603 | ¥26808.80 |
| 1000 | ¥49.180284 | ¥49180.28 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 47 A
漏源电阻 205 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 40 nC
耗散功率 231 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 50 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0R6047KNZ4C13
型号:R6047KNZ4C13
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥77.651985 |
| 10+: | ¥71.368737 |
| 100+: | ¥60.2738 |
| 500+: | ¥53.617603 |
| 1000+: | ¥49.180284 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥77.65