STD11NM60N
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- 制造商编号：
- STD11NM60N
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：20
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 20 | ￥5.686165 | ￥113.72 |
| 50 | ￥5.458631 | ￥272.93 |
| 100 | ￥5.231265 | ￥523.13 |
| 300 | ￥5.003732 | ￥1501.12 |
| 500 | ￥4.776364 | ￥2388.18 |
| 1000 | ￥4.548832 | ￥4548.83 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
STD11NM60N
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 600V 10A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
系列
MDmesh™ II
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
450mOhm @ 5A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
31nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
850pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
90W (Tc)
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
STD11NM60N 同类别型号
注
STD11NM60N品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购STD11NM60N、查询STD11NM60N代理商；
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、STD11NM60N
数据手册PDF。
STD11NM60N
型号：STD11NM60N
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 20+： | ￥5.686165 |
| 50+： | ￥5.458631 |
| 100+： | ￥5.231265 |
| 300+： | ￥5.003732 |
| 500+： | ￥4.776364 |
| 1000+： | ￥4.548832 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00