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起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥2.933766 | ¥2.93 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.8 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0DMT6009LSS-13
型号:DMT6009LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥2.933766 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.93