货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.719213 | ¥11.72 |
10 | ¥10.334215 | ¥103.34 |
100 | ¥7.921715 | ¥792.17 |
500 | ¥6.262085 | ¥3131.04 |
1000 | ¥5.009668 | ¥5009.67 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.8 A, 6.8 A
漏源电阻 35.5 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.4 V
栅极电荷 11.7 nC, 25 nC
耗散功率 3 W, 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 9 ns
正向跨导(Min) 14 S, 22 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4599DY-GE3
单位重量 187 mg
购物车
0SI4599DY-T1-GE3
型号:SI4599DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.719213 |
10+: | ¥10.334215 |
100+: | ¥7.921715 |
500+: | ¥6.262085 |
1000+: | ¥5.009668 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.72