货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥145.80108 | ¥145.80 |
10 | ¥134.025788 | ¥1340.26 |
25 | ¥128.46805 | ¥3211.70 |
100 | ¥111.105365 | ¥11110.54 |
250 | ¥107.633322 | ¥26908.33 |
500 | ¥100.689236 | ¥50344.62 |
1000 | ¥92.356334 | ¥92356.33 |
2500 | ¥86.801066 | ¥217002.67 |
5000 | ¥83.329024 | ¥416645.12 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 75 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK040Z65Z,S1F
型号:TK040Z65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
1+: | ¥145.80108 |
10+: | ¥134.025788 |
25+: | ¥128.46805 |
100+: | ¥111.105365 |
250+: | ¥107.633322 |
500+: | ¥100.689236 |
1000+: | ¥92.356334 |
2500+: | ¥86.801066 |
5000+: | ¥83.329024 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥145.80