
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥167.17194 | ¥167.17 |
| 10 | ¥153.670682 | ¥1536.71 |
| 25 | ¥147.298314 | ¥3682.46 |
| 100 | ¥127.390685 | ¥12739.07 |
| 250 | ¥123.409727 | ¥30852.43 |
| 500 | ¥115.447809 | ¥57723.90 |
| 1000 | ¥105.893508 | ¥105893.51 |
| 2500 | ¥99.523973 | ¥248809.93 |
| 5000 | ¥95.543014 | ¥477715.07 |
制造商 Toshiba
商标名 DTMOSVI
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 57 A
漏源电阻 40 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 105 nC
耗散功率 360 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 170 ns
典型接通延迟时间 75 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
购物车
0TK040Z65Z,S1F
型号:TK040Z65Z,S1F
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥167.17194 |
| 10+: | ¥153.670682 |
| 25+: | ¥147.298314 |
| 100+: | ¥127.390685 |
| 250+: | ¥123.409727 |
| 500+: | ¥115.447809 |
| 1000+: | ¥105.893508 |
| 2500+: | ¥99.523973 |
| 5000+: | ¥95.543014 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥167.17