DMT6009LSS-13
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- 制造商编号：
- DMT6009LSS-13
- 制造商：
- DIODES(美台)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥14.875466 | ￥14.88 |
| 10 | ￥13.317083 | ￥133.17 |
| 100 | ￥10.387326 | ￥1038.73 |
| 500 | ￥8.580735 | ￥4290.37 |
| 1000 | ￥6.774287 | ￥6774.29 |
规格参数
关键信息
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.8 A
漏源电阻 9.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 33.5 nC
耗散功率 1.6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
DMT6009LSS-13 同类别型号
注
DMT6009LSS-13品牌厂家：DIODES
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购DMT6009LSS-13、查询DMT6009LSS-13代理商；
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替代型号
、DMT6009LSS-13
数据手册PDF
。
DMT6009LSS-13
型号：DMT6009LSS-13
品牌：DIODES
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥14.875466 |
| 10+： | ￥13.317083 |
| 100+： | ￥10.387326 |
| 500+： | ￥8.580735 |
| 1000+： | ￥6.774287 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥14.88