SIR172DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SIR172DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：10
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ￥2.208287 | ￥22.08 |
| 50 | ￥2.126553 | ￥106.33 |
| 100 | ￥1.881187 | ￥188.12 |
| 500 | ￥1.766596 | ￥883.30 |
| 1000 | ￥1.684862 | ￥1684.86 |
| 3000 | ￥1.635823 | ￥4907.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SIR172DP-T1-GE3
制造商
SILICONIX(威世)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
包装
Digi-Reel®
系列
TrenchFET®
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8.9mOhm @ 16.1A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
30nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
997pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
29.8W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
SIR172DP-T1-GE3 同类别型号
注
SIR172DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SIR172DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SIR172DP-T1-GE3
型号：SIR172DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 10+： | ￥2.208287 |
| 50+： | ￥2.126553 |
| 100+： | ￥1.881187 |
| 500+： | ￥1.766596 |
| 1000+： | ￥1.684862 |
| 3000+： | ￥1.635823 |
货期：7-10天
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单价：￥0.00总价：￥0.00