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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 72 nC
耗散功率 102 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 95 ns
上升时间 150 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 45 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
发货限制:
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0R6035KNZC17
型号:R6035KNZC17
品牌:ROHM
供货:锐单
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货期:7-10天
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