NTD4960NT4G
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- 制造商编号：
- NTD4960NT4G
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：24
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 24 | ￥6.942847 | ￥166.63 |
| 50 | ￥6.665196 | ￥333.26 |
| 100 | ￥6.387402 | ￥638.74 |
| 300 | ￥6.109751 | ￥1832.93 |
| 500 | ￥5.831957 | ￥2915.98 |
| 1000 | ￥5.554307 | ￥5554.31 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
NTD4960NT4G
制造商
ON(安森美)
商品描述
MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK
包装
Cut Tape (CT)
系列
-
零件状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
技术
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
8.9A (Ta), 55A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
8mOhm @ 30A, 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1300pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.07W (Ta), 35.71W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
NTD4960NT4G 同类别型号
注
NTD4960NT4G品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、NTD4960NT4G
数据手册PDF。
NTD4960NT4G
型号：NTD4960NT4G
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 24+： | ￥6.942847 |
| 50+： | ￥6.665196 |
| 100+： | ￥6.387402 |
| 300+： | ￥6.109751 |
| 500+： | ￥5.831957 |
| 1000+： | ￥5.554307 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00