SI1539CDL-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI1539CDL-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 30V SOT363
- 渠道：
- digikey
库存 ：42914
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥1.997413 | ￥2.00 |
| 10 | ￥1.523766 | ￥15.24 |
| 30 | ￥1.436784 | ￥43.10 |
| 100 | ￥1.349802 | ￥134.98 |
| 500 | ￥1.311064 | ￥655.53 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 700 mA
漏源电阻 388 mOhms, 890 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 3 nC
耗散功率 340 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 15 ns
上升时间 25 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 26 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI1539CDL-T1-BE3 SI1539CDL-GE3
单位重量 7.500 mg
SI1539CDL-T1-GE3 同类别型号
注
SI1539CDL-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI1539CDL-T1-GE3
数据手册PDF。
SI1539CDL-T1-GE3
型号：SI1539CDL-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：42914 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥1.997413 |
| 10+： | ￥1.523766 |
| 30+： | ￥1.436784 |
| 100+： | ￥1.349802 |
| 500+： | ￥1.311064 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥2.00