
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥65.093841 | ¥65.09 |
| 50 | ¥52.692993 | ¥2634.65 |
| 100 | ¥49.59337 | ¥4959.34 |
| 500 | ¥44.944113 | ¥22472.06 |
| 1000 | ¥41.224567 | ¥41224.57 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4.5 V
栅极电荷 150 nC
耗散功率 390 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 150 ns
典型接通延迟时间 30 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP60R022S7 SP003393028
单位重量 2 g
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0IPP60R022S7XKSA1
型号:IPP60R022S7XKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥65.093841 |
| 50+: | ¥52.692993 |
| 100+: | ¥49.59337 |
| 500+: | ¥44.944113 |
| 1000+: | ¥41.224567 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥65.09