SI4599DY-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI4599DY-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 射频晶体管
- 商品描述：
- MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.436962 | ￥13.44 |
| 10 | ￥11.848958 | ￥118.49 |
| 100 | ￥9.082844 | ￥908.28 |
| 500 | ￥7.179953 | ￥3589.98 |
| 1000 | ￥5.743962 | ￥5743.96 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 5.8 A, 6.8 A
漏源电阻 35.5 mOhms, 45 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V, 1.4 V
栅极电荷 11.7 nC, 25 nC
耗散功率 3 W, 3.1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 9 ns, 9 ns
正向跨导（Min） 14 S, 22 S
上升时间 10 ns, 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间 7 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI4599DY-GE3
单位重量 187 mg
SI4599DY-T1-GE3 同类别型号
注
SI4599DY-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、SI4599DY-T1-GE3
数据手册PDF。
SI4599DY-T1-GE3
型号：SI4599DY-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.436962 |
| 10+： | ￥11.848958 |
| 100+： | ￥9.082844 |
| 500+： | ￥7.179953 |
| 1000+： | ￥5.743962 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.44