
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥298.977198 | ¥298.98 |
| 30 | ¥187.64994 | ¥5629.50 |
| 120 | ¥168.276278 | ¥20193.15 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 1 kV
漏极电流 8 A
漏源电阻 320 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 113 nC
耗散功率 860 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
正向跨导(Min) 11 S
上升时间 20 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 62 ns
典型接通延迟时间 29 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFH26N100X
型号:IXFH26N100X
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥298.977198 |
| 30+: | ¥187.64994 |
| 120+: | ¥168.276278 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥298.98