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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 235 A
漏源电阻 1.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.5 V
栅极电荷 65 nC
耗散功率 128 W
通道模式 Enhancement
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 187 mg
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0NVMFS5C426NT1G
型号:NVMFS5C426NT1G
品牌:ON
供货:锐单
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