IMZA65R107M1HXKSA1
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- 制造商编号：
- IMZA65R107M1HXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 渠道：
- digikey
库存 ：1
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥106.614794 | ￥106.61 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20 A
漏源电阻 142 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 75 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6.4 ns
上升时间 7.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12.2 ns
典型接通延迟时间 6.6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMZA65R107M1H SP005398435
单位重量 6 g
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注
IMZA65R107M1HXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IMZA65R107M1HXKSA1
数据手册PDF。
IMZA65R107M1HXKSA1
型号：IMZA65R107M1HXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：1 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥106.614794 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥106.61