
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥36.408632 | ¥36.41 |
| 10 | ¥32.907801 | ¥329.08 |
| 100 | ¥27.2471 | ¥2724.71 |
| 500 | ¥23.726217 | ¥11863.11 |
| 1000 | ¥20.664755 | ¥20664.76 |
制造商 onsemi
商标名 SuperFET III
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 44 A
漏源电阻 67 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 78 nC
耗散功率 312 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
上升时间 52 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 89 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 16.3 mm
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 2 g
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0FCP067N65S3
型号:FCP067N65S3
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥36.408632 |
| 10+: | ¥32.907801 |
| 100+: | ¥27.2471 |
| 500+: | ¥23.726217 |
| 1000+: | ¥20.664755 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥36.41