货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.588468 | ¥11.59 |
10 | ¥10.317475 | ¥103.17 |
25 | ¥9.794126 | ¥244.85 |
100 | ¥8.047133 | ¥804.71 |
250 | ¥7.522286 | ¥1880.57 |
500 | ¥6.647545 | ¥3323.77 |
1000 | ¥5.248081 | ¥5248.08 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.3 mOhms, 7.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 3.9 nC, 8.9 nC
耗散功率 4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 2.9 ns
正向跨导(Min) 40 S, 89 S
上升时间 19.3 ns, 16.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns, 7.9 ns
开发套件 CSD87381PEVM-603
高度 0.48 mm
长度 3 mm
宽度 2.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 33.200 mg
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0CSD87381P
型号:CSD87381P
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.588468 |
10+: | ¥10.317475 |
25+: | ¥9.794126 |
100+: | ¥8.047133 |
250+: | ¥7.522286 |
500+: | ¥6.647545 |
1000+: | ¥5.248081 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.59