CSD87381P
库存 ：15551
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥13.287053 | ￥13.29 |
| 10 | ￥11.829764 | ￥118.30 |
| 25 | ￥11.229705 | ￥280.74 |
| 100 | ￥9.226644 | ￥922.66 |
| 250 | ￥8.62487 | ￥2156.22 |
| 500 | ￥7.621912 | ￥3810.96 |
| 1000 | ￥6.017321 | ￥6017.32 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 16.3 mOhms, 7.6 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 1.1 V, 1 V
栅极电荷 3.9 nC, 8.9 nC
耗散功率 4 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 3 ns, 2.9 ns
正向跨导（Min） 40 S, 89 S
上升时间 19.3 ns, 16.3 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 10.6 ns, 16.8 ns
典型接通延迟时间 6.7 ns, 7.9 ns
规格参数
开发套件 CSD87381PEVM-603
外形参数
高度 0.48 mm
长度 3 mm
宽度 2.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 33.200 mg
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注
CSD87381P品牌厂家：TI
，所属分类： 射频晶体管
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数据手册PDF
。
CSD87381P
型号：CSD87381P
品牌：TI
供货：锐单
库存：15551 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥13.287053 |
| 10+： | ￥11.829764 |
| 25+： | ￥11.229705 |
| 100+： | ￥9.226644 |
| 250+： | ￥8.62487 |
| 500+： | ￥7.621912 |
| 1000+： | ￥6.017321 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥13.29