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IPD50N06S4L08ATMA2

INFINEON(英飞凌)
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制造商编号:
IPD50N06S4L08ATMA2
制造商:
INFINEON(英飞凌)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 3.645482 9113.70
5000 3.471883 17359.42
12500 3.31169 41396.13

规格参数

关键信息

制造商 Infineon

商标 Infineon Technologies

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 60 V

漏极电流 50 A

漏源电阻 7.8 mOhms

栅极电压 - 16 V, + 16 V

栅源极阈值电压 1.7 V

栅极电荷 64 nC

耗散功率 71 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8 ns

上升时间 2 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 45 ns

典型接通延迟时间 9 ns

外形参数

高度 2.3 mm

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

零件号别名 IPD50N06S4L-08 SP001028664

单位重量 330 mg

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IPD50N06S4L08ATMA2

锐单logo

型号:IPD50N06S4L08ATMA2

品牌:INFINEON

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥3.645482
5000+: ¥3.471883
12500+: ¥3.31169

货期:1-2天

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