货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
2500 | ¥3.645482 | ¥9113.70 |
5000 | ¥3.471883 | ¥17359.42 |
12500 | ¥3.31169 | ¥41396.13 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 50 A
漏源电阻 7.8 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 64 nC
耗散功率 71 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8 ns
上升时间 2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 45 ns
典型接通延迟时间 9 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD50N06S4L-08 SP001028664
单位重量 330 mg
购物车
0IPD50N06S4L08ATMA2
型号:IPD50N06S4L08ATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
2500+: | ¥3.645482 |
5000+: | ¥3.471883 |
12500+: | ¥3.31169 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00