SCT10N120H
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- 制造商编号：
- SCT10N120H
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- PTD WBG & POWER RF
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ￥57.093467 | ￥57093.47 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCT10N120H
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
PTD WBG & POWER RF
包装
Tape & Reel (TR)
系列
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零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
690mOhm @ 6A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
22nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
290pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
SCT10N120H 同类别型号
注
SCT10N120H品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SCT10N120H
数据手册PDF。
SCT10N120H
型号：SCT10N120H
品牌：ST
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1000+： | ￥57.093467 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00