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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Nexperia
商标 Nexperia
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 120 A
漏源电阻 1.6 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 133 nC
耗散功率 338 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 934065161127
单位重量 2.387 g
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0PSMN1R5-40ES,127
型号:PSMN1R5-40ES,127
品牌:Nexperia
供货:锐单
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