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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Renesas Electronics
商标 Renesas Electronics
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 5.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 57 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 80 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.5 mm
长度 9.9 mm
宽度 9.2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
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0RJK0603DPN-A0#T2
型号:RJK0603DPN-A0#T2
品牌:INTERSIL/RECTIFIER
供货:锐单
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