
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.287053 | ¥13.29 |
| 10 | ¥10.915386 | ¥109.15 |
| 100 | ¥8.485142 | ¥848.51 |
| 500 | ¥7.191869 | ¥3595.93 |
| 1000 | ¥5.858591 | ¥5858.59 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 40 A
漏源电阻 4.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.1 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 65 S
上升时间 65 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24 ns
典型接通延迟时间 22 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
购物车
0SIS488DN-T1-GE3
型号:SIS488DN-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.287053 |
| 10+: | ¥10.915386 |
| 100+: | ¥8.485142 |
| 500+: | ¥7.191869 |
| 1000+: | ¥5.858591 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.29