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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 290 A
漏源电阻 2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 360 nC
耗散功率 520 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 20.7 mm
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFP4468PBF SP001554960
单位重量 6 g
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0IRFP4468PBF
型号:IRFP4468PBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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