NSBC114EDXV6T1G
库存 ：130
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.189528 | ￥5.19 |
| 10 | ￥3.830366 | ￥38.30 |
| 100 | ￥2.170954 | ￥217.10 |
| 500 | ￥1.437994 | ￥719.00 |
| 1000 | ￥1.102528 | ￥1102.53 |
| 2000 | ￥0.958704 | ￥1917.41 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术类参数
配置 Dual
晶体管极性 NPN
典型输入电阻器 10 kOhms
典型电阻器比率 1
直流集电极 35
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极连续电流 0.1 A
峰值直流集电极电流 100 mA
耗散功率 357 mW
直流电流增益（Max） 35
最大直流电集电极电流 100 mA
外形参数
高度 0.55 mm
长度 1.6 mm
宽度 1.2 mm
物理类型
产品种类 双极晶体管 - 预偏置
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
单位重量 3 mg
NSBC114EDXV6T1G 同类别型号
注
NSBC114EDXV6T1G
型号：NSBC114EDXV6T1G
品牌：ON
供货：锐单
库存：130 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.189528 |
| 10+： | ￥3.830366 |
| 100+： | ￥2.170954 |
| 500+： | ￥1.437994 |
| 1000+： | ￥1.102528 |
| 2000+： | ￥0.958704 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.19