货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥6.840104 | ¥6.84 |
10 | ¥5.820308 | ¥58.20 |
100 | ¥4.049342 | ¥404.93 |
500 | ¥3.16187 | ¥1580.93 |
1000 | ¥2.570014 | ¥2570.01 |
2000 | ¥2.297405 | ¥4594.81 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 12 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 75 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 6.5 nC
耗散功率 700 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 35 ns
上升时间 17 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 65 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RW1A020ZP
单位重量 6 mg
购物车
0RW1A020ZPT2R
型号:RW1A020ZPT2R
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥6.840104 |
10+: | ¥5.820308 |
100+: | ¥4.049342 |
500+: | ¥3.16187 |
1000+: | ¥2.570014 |
2000+: | ¥2.297405 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥6.84