FDS9934C
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥10.890582 | ￥10.89 |
| 10 | ￥9.718661 | ￥97.19 |
| 100 | ￥7.581976 | ￥758.20 |
| 500 | ￥6.263033 | ￥3131.52 |
| 1000 | ￥4.944443 | ￥4944.44 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 PowerTrench
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 6.5 A, 5 A
漏源电阻 25 mOhms
栅极电压 - 10 V, + 10 V, - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 600 mV, 1.2 V
栅极电荷 9 nC, 12 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4 ns, 9 ns
正向跨导（Min） 22 S, 14 S
上升时间 9 ns, 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns, 25 ns
典型接通延迟时间 8 ns, 16 ns
外形参数
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 MOSFET
零件号别名 FDS9934C_NL
单位重量 187 mg
FDS9934C 同类别型号
注
FDS9934C品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
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替代型号
、FDS9934C
数据手册PDF。
FDS9934C
型号：FDS9934C
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥10.890582 |
| 10+： | ￥9.718661 |
| 100+： | ￥7.581976 |
| 500+： | ￥6.263033 |
| 1000+： | ￥4.944443 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥10.89