FCH190N65F-F085
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- 制造商编号：
- FCH190N65F-F085
- 制造商：
- ON(安森美)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 20.6A TO247
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标名 SuperFET II
商标 onsemi / Fairchild
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 20.6 A
漏源电阻 401 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 63 nC
耗散功率 208 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5 ns
上升时间 14.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 25 ns
外形参数
高度 20.82 mm
长度 15.87 mm
宽度 4.82 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 FCH190N65F_F085
单位重量 6 g
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注
FCH190N65F-F085品牌厂家：ON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、FCH190N65F-F085
数据手册PDF。
FCH190N65F-F085
型号：FCH190N65F-F085
品牌：ON
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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单价：￥0.00总价：￥0.00