FDG6322C
库存 ：29094
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥5.473604 | ￥5.47 |
| 10 | ￥4.702324 | ￥47.02 |
| 100 | ￥3.272966 | ￥327.30 |
| 500 | ￥2.555676 | ￥1277.84 |
| 1000 | ￥2.077234 | ￥2077.23 |
规格参数
关键信息
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
产品 MOSFET Small Signal
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 220 mA, 410 mA
漏源电阻 4 Ohms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 650 mV, 1.5 V
栅极电荷 400 pC, 1.5 nC
耗散功率 300 mW
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 4.5 ns, 8 ns
正向跨导（Min） 0.2 S, 0.9 S
上升时间 4.5 ns, 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 4 ns, 55 ns
典型接通延迟时间 5 ns, 7 ns
外形参数
高度 1.1 mm
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
零件号别名 FDG6322C_NL
单位重量 28 mg
FDG6322C 同类别型号
注
FDG6322C品牌厂家：ON
，所属分类： 射频晶体管
，可在锐单商城现货采购FDG6322C、查询FDG6322C代理商；
FDG6322C价格批发咨询客服；这里拥有
FDG6322C中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到FDG6322C
替代型号
、FDG6322C
数据手册PDF。
FDG6322C
型号：FDG6322C
品牌：ON
供货：锐单
库存：29094 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥5.473604 |
| 10+： | ￥4.702324 |
| 100+： | ￥3.272966 |
| 500+： | ￥2.555676 |
| 1000+： | ￥2.077234 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥5.47