货期:国内(1~3工作日)
起订量:5000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
5000 | ¥1.227025 | ¥6135.13 |
10000 | ¥1.139359 | ¥11393.59 |
25000 | ¥1.113045 | ¥27826.13 |
50000 | ¥1.078008 | ¥53900.40 |
125000 | ¥1.051694 | ¥131461.75 |
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 25 A
漏源电阻 14 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 4.1 nC
耗散功率 21 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4.6 ns
上升时间 7.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15.8 ns
典型接通延迟时间 2.8 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM180N03PQ33
单位重量 304.151 mg
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0TSM180N03PQ33 RGG
型号:TSM180N03PQ33 RGG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
单价:
5000+: | ¥1.227025 |
10000+: | ¥1.139359 |
25000+: | ¥1.113045 |
50000+: | ¥1.078008 |
125000+: | ¥1.051694 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00