IMW65R072M1HXKSA1
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- 制造商编号：
- IMW65R072M1HXKSA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- 渠道：
- digikey
库存 ：10
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥74.1125 | ￥74.11 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标名 CoolSiC
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 SiC
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 26 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 5 V, + 23 V
栅源极阈值电压 5.7 V
栅极电荷 22 nC
耗散功率 96 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 6 ns
上升时间 14.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 21.6 ns
典型接通延迟时间 18.2 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IMW65R072M1H SP005398438
单位重量 6 g
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注
IMW65R072M1HXKSA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IMW65R072M1HXKSA1
数据手册PDF。
IMW65R072M1HXKSA1
型号：IMW65R072M1HXKSA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：10 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥74.1125 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥74.11