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制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 5.2 A, 4.3 A
漏源电阻 70 mOhms, 140 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 700 mV
栅极电荷 20 nC, 22 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 51 ns, 33 ns
正向跨导(Min) 8.3 S, 4 S
上升时间 42 ns, 26 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 32 ns, 51 ns
典型接通延迟时间 9 ns, 8.4 ns
高度 1.75 mm
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRF7307TRPBF SP001574744
单位重量 540 mg
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0IRF7307TRPBF
型号:IRF7307TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
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