
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.734945 | ¥2204.84 |
| 6000 | ¥0.676231 | ¥4057.39 |
| 9000 | ¥0.646116 | ¥5815.04 |
| 15000 | ¥0.612086 | ¥9181.29 |
| 21000 | ¥0.599775 | ¥12595.27 |
制造商 Toshiba
商标名 U-MOSVII-H
商标 Toshiba
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 112 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 -
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 9 ns
典型接通延迟时间 26 ns
高度 0.75 mm
长度 2 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 8.500 mg
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0SSM6N58NU,LF
型号:SSM6N58NU,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.734945 |
| 6000+: | ¥0.676231 |
| 9000+: | ¥0.646116 |
| 15000+: | ¥0.612086 |
| 21000+: | ¥0.599775 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00