货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥8.002769 | ¥8.00 |
10 | ¥6.826606 | ¥68.27 |
100 | ¥5.097522 | ¥509.75 |
500 | ¥4.005265 | ¥2002.63 |
1000 | ¥3.095132 | ¥3095.13 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 1.5 A
漏源电阻 290 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 2 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 1 S
上升时间 9 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 15 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
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0RSQ015N06HZGTR
型号:RSQ015N06HZGTR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥8.002769 |
10+: | ¥6.826606 |
100+: | ¥5.097522 |
500+: | ¥4.005265 |
1000+: | ¥3.095132 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.00