R6530ENZC17
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- 制造商编号：
- R6530ENZC17
- 制造商：
- ROHM(罗姆)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 650V 30A TO3FHY
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
关键信息
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 90 nC
耗散功率 86 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 70 ns
上升时间 70 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 200 ns
典型接通延迟时间 30 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
其它
发货限制：
R6530ENZC17 同类别型号
注
R6530ENZC17品牌厂家：ROHM
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、R6530ENZC17
数据手册PDF。
R6530ENZC17
型号：R6530ENZC17
品牌：ROHM
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00