商品描述
MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
29A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
18V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
156mOhm @ 10A, 18V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 3.3mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
61nC @ 18V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1200pF @ 500V