货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥12.15441 | ¥12.15 |
10 | ¥10.671572 | ¥106.72 |
100 | ¥8.185996 | ¥818.60 |
500 | ¥6.471008 | ¥3235.50 |
1000 | ¥5.176807 | ¥5176.81 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel, P-Channel
通道数量 2 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 5.6 A, 3.4 A
漏源电阻 57 mOhms, 183 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 11.5 nC, 36 nC
耗散功率 3.6 W, 4.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Dual
下降时间 12 ns, 25 ns
正向跨导(Min) 9 S, 9.3 S
上升时间 73 ns, 80 ns
晶体管类型 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns, 42 ns
典型接通延迟时间 32 ns, 55 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 750 mg
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0SI4590DY-T1-GE3
型号:SI4590DY-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥12.15441 |
10+: | ¥10.671572 |
100+: | ¥8.185996 |
500+: | ¥6.471008 |
1000+: | ¥5.176807 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥12.15